Hệ phân tích phổ Raman

Ứng dụng

- Ứng dụng quang phổ Raman trong phân biệt và kiểm soát các chất ma túy mà không phá hủy mẫu (kỹ thuật phân tích không tiếp xúc, không phá hủy mẫu, không cần nhiều công đoạn cho chuẩn bị mẫu).

- Raman có độ nhạy cao với sự khác biệt nhỏ trong thành phần hóa học và cấu trúc tinh thể. Điều này cho phép phát hiện với một lượng rất nhỏ các chất ma túy do dó cung cấp thông tin giá trị liên quan đến nguồn gốc của phương pháp tổng hợp thuốc

- Phân tích dấu vết mực khác nhau tại chỗ mà không phá hủy mẫu.

- Sử dụng kỹ thuật Ranman kính hiển vi phân tích vết mực tại chỗ mà không phá hủy mẫu để xác định nguồn gốc của một tài liệu (ví dụ tài liệu được in bằng Máy in Laser, máy in phun hay máy Photocopy…).

- Nhờ vào thiết kế đồng tiêu và chiều sâu sự thâm nhập laser mà nó có thể phân biệt được những lớp khác nhau trên bề mặt giấy, nó phân tích trên thành phần hóa học của những lớp và cho những quang phổ khác nhau, từ đó cho ta biết là lớp nào có trước lớp nào có sau --> tài liệu có giả mạo hay không.

Mô tả kỹ thuật:

Kính hiển vi Olympus BX41

- Bệ mẫu cơ học điều chỉnh bằng tay XY.

- Nguồn sáng Koehler 12 V/ 100W cho ánh sáng trắng phản xạ .

- Hệ thống nguồn sáng bên trong 6V/30W cho ánh sáng trắng truyền qua cung cấp kèm bộ tụ Abbe.

- Tang quay cho 5 vị trí vật kính,  kèm vật kính tiêu sắc:

 + 10X, NA = 0.25, WD = 10.6 mm.

 + 100X, NA = 0.9, WD = 0.21 mm.

Bộ phận đo Raman:

- Bánh xe quang với 5 màng lọc trung tính (0.3; 0.6; 1.2 và 3) điều khiển bằng phần mềm LabSpec.

- Tích hợp Camera màu cổng USB 3 Mpix cho quan sát đồng thời mẫu và điểm laser, sử dụng phần mềm Labspec.

- Giá đỡ tấm lọc điều khiển bằng động cơ có thể lắp đến 3 tấm lọc Raman.

- Lỗ mở đồng tiêu 3 vị trí điều khiển bằng phần mềm.

- Khớp nối quang học đến phổ kế.

- Phổ kế trường rộng gắn với khe vào điều khiển động cơ và giá xoay cho phép gắn tối đa 4 cách tử, điều khiển qua phần mềm Labspec.

 + Cách tử 2400 gr/mm được tối ưu hóa cho nguồn laser 532 nm đạt độ phân giải  <1,4cm-1 FWHM, trong khoảng phổ 2300- 3200cm-1 .

 + Cách tử 1200 gr/mm cho các ứng dụng chung.

 + Cách tử 1800 gr/mm được tối ưu hóa cho nguồn 785 nm đạt độ phân giải  < 1,2 cm-1 FWHM  trong khoảng phổ 1000-1600cm-1.

 + Cách tử 600 gr/mm cho dải  lấy phổ rộng ( ví dụ như từ 150 - 5100 cm-1 tại nguồn 532nm).

- Đầu đo CCD độ nhạy cao, độ phân giải 1024 x 256 pixels, hiệu suất lượng tử nâng cao, chip CCD điện cực mở, loại làm mát nhiệt điện, cổng giao diện USB2.

 + 1024 pixels được sử dụng để thu nhận số liệu phổ .

 +  Dải phổ: 220 – 1050 nm.

 + Kích thước Pixel : 26 x 26 microns.

 + Kích thước Chip: 26.6 x 6.7 mm.

 + Hiệu suất lượng tử  (QE) > 30 % trong dải 500 - 800nm.

 + Dung tích giếng Pixel đơn: 200,000 e-/pixel.

 + Nhiễu đọc điển hình (tại 45 kHz và -60 °C):  4.7 e-/pixel RMS .

 + Không tuyến tính  < 0.4% tại 45 kHz .

 + Cường độ dòng tối điển hình tại -60 °C: 0.0052 e-/pixel/giây (với kích thước pixel là 26 μm, giá trị này là  0.0020 e-/pixel/giây với kích thước pixel 16 μm )

Hệ He-Ne laser 532 nm

- Hệ Laser He-Ne làm mát bằng không khíđược tích hợp bên trong máy.